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信息存储应用技术
  • 一种非易失性半导体存储器修复方法及装置与流程
    本发明涉及芯片存储,具体涉及一种非易失性半导体存储器修复方法及装置。随着集成电路工艺的不断发展及进步,对nor-flash、nand-flash、eeprom(electricallyerasableprogrammableread-onlymemory,电可擦只读存储器)等非易失...
  • 半导体存储器件、存储系统及操作半导体存储器件的方法与流程
    相关申请的交叉引用本申请要求于2018年6月1日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2018-0063278的优先权,其公开内容通过引用整体并入本文。本公开涉及存储器,并且更具体地涉及半导体存储器件、存储系统及操作半导体存储器件的方法。半导体存储器件可以分类为诸如闪存器件的非易失...
  • 无盘启动的SSD产品测试方法、装置及计算机设备与流程
    本发明涉及固态硬盘,更具体地说是指无盘启动的ssd产品测试方法、装置及计算机设备。固态硬盘简称固盘,固态硬盘(即ssd)用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘,由控制单元和存储单元(flash芯片、dram芯片)组成。固态硬盘在接口的规范和定义、功能及使用方法上与传统硬盘的完全相同,在产品外形...
  • 包括多输入移位寄存器电路的半导体器件的制作方法
    相关申请的交叉引用本申请要求于2018年5月31日提交的申请号为10-2018-0062488的韩国专利申请的优先权,其公开的全部内容通过引用合并于此。各种实施例涉及半导体设计技术,且更具体地涉及包括多输入移位寄存器(multiple-inputshiftregister,misr)电路的半导体器...
  • 存储器装置及该存储器装置的操作方法与流程
    相关申请的交叉引用本申请要求于2018年5月31日提交的申请号为10-2018-0062518的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用并入本文。本发明的各个实施例涉及一种存储器装置,并且更特别地,涉及一种非易失性存储器装置及用于操作该存储器装置的方法。新兴的计算机环境范例是普适计算,即可...
  • 存储器装置、其操作方法以及包括其的存储器系统与流程
    相关申请的交叉引用本申请要求于2018年5月31日提交的申请号为10-2018-0062298的韩国专利申请的优先权,其公开内容通过引用整体并入本文。本发明的各个实施例涉及一种存储器装置以及一种存储器系统。特别地,实施例涉及一种能够有效地验证编程操作的存储器装置、其操作方法以及包括该存储器装置的存...
  • 摄像机、移动存储器及信息确定、信息发送方法与流程
    本申请涉及存储,特别是涉及一种摄像机、移动存储器及信息确定、信息发送方法。随着技术的发展,摄像机拍摄的图像的清晰度在逐渐提高,用户使用摄像机拍摄音视频数据的需求也越来越大,因此摄像机中数据的产生量也呈现指数级别的增长,设备需要有更大的存储空间对数据进行存储。摄像机可以为监控摄像机等...
  • 一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质与流程
    本发明实施例涉及存储,具体涉及一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质。非易失闪存介质(nandflash)是一种很常见的存储芯片,兼有随机存储器(randomaccessmemory,ram)和只读存储器(read-onlymemory,rom)的优点,数据掉电不会丢失,...
  • 一种抗干扰的编程方法、装置、设备及存储介质与流程
    本发明实施例涉及半导体,尤其涉及一种抗干扰的编程方法、装置、设备及存储介质。闪存的存储单元是三端器件,并与场效应管有相同的名称:源极、漏极和栅极。闪存与场效应管不同的是闪存中还有一个浮置栅极,设置在控制栅极和衬底之间;控制栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用来保护浮置栅极中的电荷不...
  • 一种3D NAND存储器的读取方法及装置与流程
    本发明涉及存储器的集成电路设计领域,特别涉及一种3dnand存储器的读取方法及装置。nand闪存具有功耗低、质量轻且性能佳的非易失存储产品,在电子产品中得到了广泛的应用,而为了进一步提高存储容量,降低每比特的存储成本,提出了3dnand存储器。在3dnand存储器中,存储器单元在三维方向上...
  • 存储器装置及其操作方法与流程
    要求于2018年5月31日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0062528号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。本发明构思在此涉及半导体存储器装置,更具体地,涉及被配置为执行擦除操作的三维存储器装置。半导体存储器可被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器...
  • 一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质与流程
    本发明实施例涉及存储,具体涉及一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质。非易失闪存介质(nandflash)是一种很常见的存储芯片,兼有随机存储器(randomaccessmemory,ram)和只读存储器(read-onlymemory,rom)的优点,数据掉电不会丢失,...
  • 一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质与流程
    本发明实施例涉及存储,具体涉及一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质。非易失闪存介质(nandflash)是一种很常见的存储芯片,兼有随机存储器(randomaccessmemory,ram)和只读存储器(read-onlymemory,rom)的优点,数据掉电不会丢失,...
  • 存储器装置的编程方法与流程
    本发明是有关于一种存储器装置的编程方法。闪存是非易失性存储器装置的一种。施加编程电压脉冲至存储器单元,可将数据存储至存储器单元内。为让存储器单元的阈值电压分布紧缩,在增阶脉冲编程(incrementalsteppulseprogramming,ispp)过程中,可执行一个编程(progra...
  • 存储器装置及操作其的方法与流程
    本发明是有关于一种存储器装置。具体而言,本发明是有关于存储器装置的各种结构。存储器装置(例如高密度与非闪存装置,high-densitynandflashmemorydevice)可具有各种结构以增加芯片上的存储器单元和存储器线的密度。具体而言,三维与非结构已被用于实施高密度与非闪存装置。...
  • RRAM电路及在RRAM器件中形成细丝的方法与流程
    本发明的实施例一般地涉及半导体,更具体地涉及rram电路及在rram器件中形成细丝的方法。在一些应用中,存储器电路将数据存储在包括电阻式随机存取存储器(rram)单元的阵列中。单个rram单元可编程为高阻状态(hrs)或低阻状态(lrs),每个状态表示由rram单元存储的逻辑状态。...
  • 存储器电路和对RRAM器件执行写入操作的方法与流程
    本发明的实施例一般地涉及半导体,更具体地涉及存储器电路和对rram器件执行写入操作的方法。在一些应用中,集成电路(ic)包括将数据存储在电阻式随机存取存储器(rram)单元的阵列中存储器电路。独立的rram单元可编程为高电阻状态(hrs)或低电阻状态(lrs),其中每个状态表示通过...
  • 稳压器、动态随机存取存储器、及位元线电压的稳定方法与流程
    本公开主张2018/06/04申请的美国正式申请案第15/997,427号的优先权及益处,该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开是关于一种电路、一种动态随机存取存储器(dram)、以及一种方法。特别是关于一种稳压电路、一种动态随机存取存储器、以及一种位元线电压的稳定方法。...
  • 用以控制存储器的电路及相关的方法与流程
    本发明是有关于存储器,尤指一种关于动态随机存取存储器中产生刷新命令(refreshcommand)的电路及相关的方法。在动态随机存取存储器中,存储单元需要透过刷新来维持电容的电位,因此存储器控制器会每隔一固定的时间(trefi,约7.8微秒(us))发送一次刷新命令给动态随机存取存储器。然...
  • 半导体装置的制作方法
    各种实施方式总体上涉及一种半导体装置,更具体地,涉及一种包括存储器装置的半导体装置。半导体装置(或者更具体而言,半导体存储器装置)可以用于存储数据。半导体存储器装置可以大致分为非易失性存储器装置和易失性存储器装置。非易失性存储器装置即使在没有供电时也可以保留存储在其中的数据。非易失性存储器...
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